2月26日，从中国电科二所获悉，山西省第一片碳化硅芯片在该所研制成功。
碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，可有效突破传统硅基材料的物理极限，广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域，是我国重点发展的战略性先进半导体，对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。
2021年9月，中国电科二所接到6英寸碳化硅芯片整线系统集成研发任务，该项目要求四个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试，并流出第一片芯片。为了不耽误项目进度，项目团队放弃休息，在保证人员及设备安全的前提下连夜作业，夜晚卸货、搬运、拆包，白天安装就位，仅用一个月内就完成了设备移入，创造了电科山西速度。
为按时间节点完成流片任务，项目团队平均每天要工作16个小时，各设备负责人轮流坚守岗位。最终在配套设备到位的30日内，完成了单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度创造了国内第一！
中国电科二所工作人员表示，山西省第一片碳化硅芯片是落实山西省“十四五”规划，将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性重大成果，是太原市向半导体领域转型发展道路上的一个里程碑。接下来，他们将进一步优化设计和工艺流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指标、提高良品率，实现规模化生产，以最优的状态，为全方位推动山西省、太原市半导体产业高质量发展做出更大的贡献。
（责编：范婉璐）
